Modèle de Produit

H5TQ4G63EFR

Introduction

Circuit intégré de mémoire produit par SK Hynix.

Marque et Fabricant

SK Hynix

Caractéristiques

Technologie DDR3 SDRAM, Densité de 4 Gb, Transfert de données à haute vitesse, Faible consommation d'énergie, Processus de fabrication sans plomb et sans halogène.

Performance du Produit

Rétention de données stable, Opération à haute fréquence, Résistance aux variations électriques et thermiques, Caractéristiques thermiques efficaces, Capacités robustes de correction d'erreurs.

Spécifications Techniques

SDRAM de type DDR3, Densité de 4 Gb (Gigabit), Support d'une plage de tension duale de 1,35V / 1,5V, Débits de données : MT/s (mega transferts par seconde).

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage normalisé pour circuits intégrés, Compatible avec la technologie de montage en surface, Vendu en plateaux, bandes ou bobines.

Qualité et Fiabilité

Testé pour une durabilité prolongée, Mesures strictes de contrôle de qualité, Temps moyen entre les pannes (MTBF) élevé.

Avantages du Produit

Bande passante améliorée par rapport aux générations précédentes, Performance rentable, Large compatibilité avec diverses cartes mères et systèmes.

Compétitivité du Produit

Réputation sur le marché de SK Hynix pour sa fiabilité, Rapport performance/prix équilibré, Préféré par les principaux OEM.

Compatibilité

Compatible avec diverses architectures de CPU et plateformes, Prend en charge des environnements et systèmes informatiques divers.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes JEDEC, Conforme à la directive RoHS, Conforme aux spécifications de l'industrie pour la DDR3 SDRAM.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour un fonctionnement à long terme, Soutient les efforts de fabrication durable.

Champs d'Application Réels

Ordinateurs de bureau et ordinateurs portables, Serveurs et centres de données, Électronique grand public, Équipements de mise en réseau, Solutions embarquées.

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