IPL65R310E6AUMA1 | |
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Modèle de produit | IPL65R310E6AUMA1 |
Fabricant | Infineon Technologies |
La description | MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK |
Quantité disponible | 2595 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.IPL65R310E6AUMA1.pdf2.IPL65R310E6AUMA1.pdf3.IPL65R310E6AUMA1.pdf |
IPL65R310E6AUMA1 Price |
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Informations techniques de IPL65R310E6AUMA1 | |||
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Référence fabricant | IPL65R310E6AUMA1 | Catégorie | |
Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK |
Paquet / cas | PG-VSON-4 | Quantité disponible | 2595 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 400µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-VSON-4 |
Séries | CoolMOS™ E6 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 4.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 104W (Tc) | Package / Boîte | 4-PowerTSFN |
Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13.1A (Tc) |
Numéro de produit de base | IPL65R | ||
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