| IPL65R190E6AUMA1938 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPL65R190E6AUMA1938 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO |
| Quantité disponible | Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| IPL65R190E6AUMA1938 Price |
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| Informations techniques de IPL65R190E6AUMA1938 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPL65R190E6AUMA1938 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO |
| Paquet / cas | PG-VSON-4-1 | Quantité disponible | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-VSON-4-1 |
| Séries | CoolMOS E6™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 151W (Tc) | Package / Boîte | 4-PowerTSFN |
| Emballer | Bulk | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ IPL65R190E6AUMA1938 Online.
| Action IPL65R190E6AUMA1938 | Prix IPL65R190E6AUMA1938 | IPL65R190E6AUMA1938 Electronique | |||
| Composants IPL65R190E6AUMA1938 | IPL65R190E6AUMA1938 Inventaire | IPL65R190E6AUMA1938 Digikey | |||
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