| IPL60R650P6SATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPL60R650P6SATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK |
| Quantité disponible | 2585 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPL60R650P6SATMA1.pdf2.IPL60R650P6SATMA1.pdf3.IPL60R650P6SATMA1.pdf |
| IPL60R650P6SATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPL60R650P6SATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPL60R650P6SATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK |
| Paquet / cas | 8-ThinPak (5x6) | Quantité disponible | 2585 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-ThinPak (5x6) |
| Séries | CoolMOS™ P6 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 56.8W (Tc) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 557 pF @ 100 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.7A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IPL60R650 | ||
| Télécharger | IPL60R650P6SATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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