| IPL60R385CPAUMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPL60R385CPAUMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON |
| Quantité disponible | 2570 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPL60R385CPAUMA1.pdf2.IPL60R385CPAUMA1.pdf |
| IPL60R385CPAUMA1 Price |
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| Informations techniques de IPL60R385CPAUMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPL60R385CPAUMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON |
| Paquet / cas | PG-VSON-4 | Quantité disponible | 2570 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-VSON-4 |
| Séries | CoolMOS™ CP | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 5.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) | Package / Boîte | 4-PowerTSFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 100 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IPL60R385 | ||
| Télécharger | IPL60R385CPAUMA1 PDF - EN.pdf | ||
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| Action IPL60R385CPAUMA1 | Prix IPL60R385CPAUMA1 | IPL60R385CPAUMA1 Electronique | |||
| Composants IPL60R385CPAUMA1 | IPL60R385CPAUMA1 Inventaire | IPL60R385CPAUMA1 Digikey | |||
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