| IPL60R2K1C6SATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPL60R2K1C6SATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK |
| Quantité disponible | 2519 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPL60R2K1C6SATMA1.pdf2.IPL60R2K1C6SATMA1.pdf |
| IPL60R2K1C6SATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPL60R2K1C6SATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPL60R2K1C6SATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK |
| Paquet / cas | PG-TSON-8-2 | Quantité disponible | 2519 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TSON-8-2 |
| Séries | CoolMOS™ C6 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 760mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 21.6W (Tc) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IPL60R | ||
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