| IPL60R365P7AUMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPL60R365P7AUMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON |
| Quantité disponible | 2524 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPL60R365P7AUMA1.pdf2.IPL60R365P7AUMA1.pdf3.IPL60R365P7AUMA1.pdf |
| IPL60R365P7AUMA1 Price |
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| Informations techniques de IPL60R365P7AUMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPL60R365P7AUMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON |
| Paquet / cas | PG-VSON-4 | Quantité disponible | 2524 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-VSON-4 |
| Séries | CoolMOS™ P7 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365mOhm @ 2.7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 46W (Tc) | Package / Boîte | 4-PowerTSFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IPL60R365 | ||
| Télécharger | IPL60R365P7AUMA1 PDF - EN.pdf | ||
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