| IPL65R1K0C6SATMA1 | |
|---|---|
| Modèle de produit | IPL65R1K0C6SATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| La description | MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK |
| Quantité disponible | 2654 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.IPL65R1K0C6SATMA1.pdf2.IPL65R1K0C6SATMA1.pdf3.IPL65R1K0C6SATMA1.pdf |
| IPL65R1K0C6SATMA1 Price |
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| Informations techniques de IPL65R1K0C6SATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | IPL65R1K0C6SATMA1 | Catégorie | |
| Fabricant | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | La description | MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK |
| Paquet / cas | PG-TSON-8-2 | Quantité disponible | 2654 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TSON-8-2 |
| Séries | CoolMOS™ C6 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 34.7W (Tc) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.2A (Tc) |
| Numéro de produit de base | IPL65R1 | ||
| Télécharger | IPL65R1K0C6SATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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