MT41K512M8RH-125:E | |
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Modèle de produit | MT41K512M8RH-125:E |
Fabricant | Micron Technology Inc. |
La description | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
Quantité disponible | 2931 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.MT41K512M8RH-125:E.pdf2.MT41K512M8RH-125:E.pdf3.MT41K512M8RH-125:E.pdf4.MT41K512M8RH-125:E.pdf |
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Informations techniques de MT41K512M8RH-125:E | |||
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Référence fabricant | MT41K512M8RH-125:E | Catégorie | Circuits intégrés (ci) |
Fabricant | Micron Technology | La description | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
Paquet / cas | 78-FBGA (9x10.5) | Quantité disponible | 2931 pcs |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | - | Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
La technologie | SDRAM - DDR3L | Package composant fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) |
Séries | - | Package / Boîte | 78-TFBGA |
Emballer | Tray | Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount | Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 4Gbit | Organisation de mémoire | 512M x 8 |
Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | DRAM |
Fréquence d'horloge | 800 MHz | Numéro de produit de base | MT41K512M8 |
Temps d'accès | 13.75 ns | MT41K512M8RH-125:E Détails PDF [English] | MT41K512M8RH-125:E PDF - EN.pdf |
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MT41K512M8RH-125:E
Puce mémoire DDR3L SDRAM de 4 Gbit obsolète.
Micron Technology
Mémoire volatile, technologie SDRAM - DDR3L, taille mémoire de 4 Gbit, organisation mémoire 512M x 8, interface mémoire parallèle, type de montage en surface.
Fréquence d'horloge de 800 MHz, temps d'accès de 13,75 ns, prend en charge une alimentation électrique comprise entre 1,283 V et 1,45 V.
Type de mémoire : DDR3L, format de mémoire : DRAM, taille de mémoire : 4 Gbit, fréquence d'horloge : 800 MHz.
Conditionnement 78-TFBGA, paquet de dispositif fournisseur 78-FBGA (9x10.5), dimensions et forme optimisées pour le montage en surface.
Conçu pour une haute fiabilité et une qualité optimale, plage de température de fonctionnement de 0 °C à 95 °C.
Accès et bande passante haute vitesse, fonctionnement à faible tension pour une efficacité énergétique.
Compétitif dans les applications nécessitant une bande passante mémoire élevée, adapté pour le calcul haute performance avec un statut obsolète.
Interface mémoire parallèle compatible avec certains microprocesseurs et contrôleurs.
Normes de production conformes aux exigences de qualité de Micron Technology.
Durée de vie conçue conformément à l'utilisation typique de la DRAM et aux considérations de durabilité.
Adapté pour une utilisation en calcul haute performance avant de devenir obsolète.
Action MT41K512M8RH-125:E | Prix MT41K512M8RH-125:E | MT41K512M8RH-125:E Electronique |
Composants MT41K512M8RH-125:E | MT41K512M8RH-125:E Inventaire | MT41K512M8RH-125:E Digikey |
Fournisseur MT41K512M8RH-125:E | Commandez MT41K512M8RH-125:E en ligne | Demande MT41K512M8RH-125:E |
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