Modèle de Produit

MT41K512M8RH-125:M:E

Introduction

Mémoire IC DDR3 SDRAM

Marque et Fabricant

Micron Technology

Caractéristiques

Puissant chip DRAM à haute densité, fonctionnement à basse tension, détection de présence série (SPD), support d'ECC (Code de Correction d'Erreur)

Performance du Produit

Taux de transfert de données rapides, performance thermique améliorée, intégrité du signal robuste

Spécifications Techniques

Technologie DDR3 SDRAM, 1,25 ns @ CL=11, architecture à prélecture de 8 bits, détection de données différentielle bi-directionnelle

Dimensions, Forme et Conditionnement

Type d'emballage : Boîtier Ball Grid Array (BGA), Dimensions : 14 mm x 22 mm x 1,4 mm (environ)

Qualité et Fiabilité

MTBF élevé (Temps Moyen Entre Pannes), conformité aux normes JEDEC, plage de températures étendue

Avantages du Produit

Bande passante accrue, faible consommation d'énergie, fonctionnement à grande vitesse

Compétitivité du Produit

Avantage sur les concurrents en densité et efficacité énergétique, optimisé pour les applications de calcul haute performance

Compatibilité

Compatible avec les chipsets activés DDR3, interface conforme aux normes JEDEC

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux standards RoHS, sans plomb, spécifications JEDEC

Durée de Vie et Durabilité

Durée de vie opérationnelle s'étend sur plusieurs années en usage normal, éco-responsable avec une consommation d'énergie réduite

Champs d'Application Réels

PCs et serveurs, équipements de réseautage, systèmes embarqués, électronique grand public

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