MT41K512M8V00HWC1-N002
Modèle de produit MT41K512M8V00HWC1-N002
Fabricant Micron Technology Inc.
La description IC DRAM 4GBIT PARALLEL
Quantité disponible 2684 pcs new original in stock.
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Informations techniques de MT41K512M8V00HWC1-N002
Référence fabricant MT41K512M8V00HWC1-N002 Catégorie Circuits intégrés (ci)
Fabricant Micron Technology La description IC DRAM 4GBIT PARALLEL
Paquet / cas Bulk Quantité disponible 2684 pcs
Écrire le temps de cycle - Word, Page - Tension - Alimentation 1.283V ~ 1.45V
La technologie SDRAM - DDR3L Package composant fournisseur -
Séries - Package / Boîte -
Emballer Bulk Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage - Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 4Gbit Organisation de mémoire 512M x 8
Interface mémoire Parallel Format de mémoire DRAM
Numéro de produit de base MT41K512M8  
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