Modèle de Produit

MMDT5401

Introduction

Transistor PNP double

Marque et Fabricant

CJ Electronics

Caractéristiques

Transistor PNP général de signal faible, configuration double transistor, dispositif de montage en surface (SMD), sans plomb (plomb-libre)

Performance du Produit

Gain de courant élevé, vitesse de commutation rapide, faible tension de saturation, bonne linéarité de hFE

Spécifications Techniques

Tension collecteur-émetteur (VCEO) Max : -150V, tension collecteur-base (VCBO) Max : -160V, tension base-émetteur (VEBO) Max : -5V, courant continu du collecteur (IC) Max : -600 mA

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage SOT-363, 3.00 x 2.20 x 1.45 mm (L x l x H), fourni en conditionnement sur ruban

Qualité et Fiabilité

Performance très stable, longue durée de vie opérationnelle, robuste face aux fluctuations environnementales

Avantages du Produit

Montage à haute densité, faible consommation d'énergie, intégration de deux transistors dans un seul paquet

Compétitivité du Produit

Faible coût, gain d'espace pour la conception de PCB, compétitif sur le marché des transistors PNP double

Compatibilité

Compatible avec les processus courants d'assemblage SMD

Certification et Conformité aux Normes

Conforme à la directive RoHS, processus de fabrication sans plomb

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie, matériaux respectueux de l'environnement

Champs d'Application Réels

Traitement de signal, gestion de puissance, circuits d'amplification et de commutation, électronique industrielle et grand public

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