Modèle de Produit

MMDT5111W

Introduction

Le MMDT5111W est un circuit intégré conçu pour des applications spécialisées, répondant aux exigences modernes de l'électronique.

Marque et Fabricant

ST (STMicroelectronics)

Caractéristiques

Configuration de transistor complémentaire NPN-PNP double, très faible tension de saturation entre le collecteur et l’émetteur, produit de largeur de bande de gain de courant élevé.

Performance du Produit

Capacités de commutation à haute vitesse, efficacité de faible perte de puissance, excellente stabilité thermique.

Spécifications Techniques

Tension Collecteur-Émetteur (VCEO) max : 50V, Courant Collecteur (IC) max : 600mA, Dissipation de puissance (Pd) : 250mW.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier SOT-363, empreinte compacte, compatible avec la technologie de montage en surface (SMT), fourni en emballage bande et bobine pour assemblage automatisé.

Qualité et Fiabilité

Mesures de contrôle qualité strictes, haute fiabilité dans diverses conditions de fonctionnement.

Avantages du Produit

Gestion de puissance améliorée, efficacité du circuit améliorée, optimisé pour un fonctionnement à basse tension.

Compétitivité du Produit

Prix compétitif, performance supérieure dans sa catégorie, largement accepté dans les applications à volume élevé.

Compatibilité

Compatible avec une large gamme de circuits de commande, facilement intégré dans des conceptions existantes.

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux certifications industrielles standard, conforme aux réglementations RoHS et REACH.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle, matériaux sélectionnés pour la durabilité environnementale.

Champs d'Application Réels

Systèmes de gestion de l'énergie, applications de commutation dans l'électronique grand public, traitement des signaux dans les télécommunications.

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