Modèle de Produit

MMDT4413-7-F

Introduction

Réseau de transistors bipolaires (BJT) comprenant des transistors NPN et PNP.

Marque et Fabricant

Diodes Incorporated

Caractéristiques

Inclut des transistors NPN et PNP. Configuration en réseau pour un design de circuit polyvalent. Basse saturation Vce. Haute capacité de courant.

Performance du Produit

Plage de température de fonctionnement robuste de -65°C à 150°C. Haute fréquence de transition pour des fins d'amplification. Gain de courant continu constant.

Spécifications Techniques

Type de transistor double : NPN et PNP. Tension de rupture collecteur-émetteur : 40V. Courant collecteur maximum : 600mA. Puissance maximum : 200mW.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363. Type de montage en surface. Boîtier fournisseur SOT-363. Emballage du fabricant en bande et bobine (TR).

Qualité et Fiabilité

Sans plomb / Conforme RoHS pour des considérations environnementales.

Avantages du Produit

Combinaison de types NPN et PNP dans un seul boîtier. Utilisation efficace de l'espace dans la conception de PCB. Haute capacité de puissance pour un petit boîtier.

Compétitivité du Produit

Adapté aux agencements de circuits à haute densité. Polyvalent pour différentes applications de circuits.

Compatibilité

Compatible avec les processus de montage en surface à empreinte SOT-363.

Certification et Conformité aux Normes

Répond aux restrictions RoHS concernant les substances dangereuses.

Durée de Vie et Durabilité

Matériaux et design durables pour une fiabilité à long terme.

Champs d'Application Réels

Utilisé dans le traitement de signal, les circuits de gestion d'énergie, et les applications de commutation.

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