MMDT5451-7-F | |
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Modèle de produit | MMDT5451-7-F |
Fabricant | Diodes Incorporated |
La description | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 |
Quantité disponible | 10110 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | 1.MMDT5451-7-F.pdf2.MMDT5451-7-F.pdf3.MMDT5451-7-F.pdf |
MMDT5451-7-F Price |
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Informations techniques de MMDT5451-7-F | |||
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Référence fabricant | MMDT5451-7-F | Catégorie | Cristaux, oscillateurs, résonateurs |
Fabricant | Diodes Incorporated | La description | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 |
Paquet / cas | SOT-363 | Quantité disponible | 10110 pcs |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 160V, 150V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor Type | NPN, PNP | Package composant fournisseur | SOT-363 |
Séries | - | Puissance - Max | 200mW |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Emballer | Tape & Reel (TR) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Fréquence - Transition | 300MHz | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
Numéro de produit de base | MMDT5451 | ||
Télécharger | MMDT5451-7-F PDF - EN.pdf |
MMDT5451-7-F
Réseau de transistors double NPN et PNP
Diodes Incorporated
Configuration de transistor double : NPN et PNP, faible tension de saturation collecteur-émetteur, produit de bande passante de gain de courant élevé
Fonctionne efficacement dans une plage de température extrême de -55°C à 150°C, supporte un courant de collecteur allant jusqu'à 200mA, capacités de haute tension avec une rupture collecteur-émetteur à 160V pour NPN et 150V pour PNP
Puissance nominale : 200mW, Tension - Rupture Collecteur Émetteur : 160V (NPN), 150V (PNP), Courant de Collecteur (Max) : 200mA, Vce Saturation : 200mV @ 5mA, 50mA (NPN) / 500mV @ 5mA, 50mA (PNP), Courant de Coupure du Collecteur (Max) : 50nA, Gain de courant continu : 80 @ 10mA, 5V (NPN) / 60 @ 10mA, 5V (PNP), Fréquence de transition : 300MHz
Boîtier : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Conditionné en bande et bobine pour assemblage automatisé, Dispositif monté en surface
Conçu pour une fiabilité à long terme dans des environnements difficiles, performance robuste sur une large plage de températures
Haute tension de rupture adaptée aux applications à haute tension, gestion efficace de la puissance pour la taille et l'emballage
Optimisé pour la densité de puissance et l'efficacité, compétitif sur les marchés nécessitant une opération à haute tension et un design compact
Compatible avec les processus de montage en surface standard, s'intègre facilement dans divers designs de circuits électroniques
Répond aux normes de l'industrie en matière de qualité et de fiabilité, conforme aux réglementations environnementales et de sécurité
Conçu pour une longévité sous des conditions de fonctionnement strictes, matériaux et processus de production respectueux de l'environnement
Convient pour la régulation de puissance dans l'électronique grand public, idéal pour les applications de commutation dans les dispositifs de communication
Action MMDT5451-7-F | Prix MMDT5451-7-F | MMDT5451-7-F Electronique | |||
Composants MMDT5451-7-F | MMDT5451-7-F Inventaire | MMDT5451-7-F Digikey | |||
Fournisseur MMDT5451-7-F | Commandez MMDT5451-7-F en ligne | Demande MMDT5451-7-F | |||
MMDT5451-7-F Image | MMDT5451-7-F Photo | MMDT5451-7-F PDF | |||
MMDT5451-7-F Fiche technique | Télécharger la fiche technique MMDT5451-7-F | Fabricant Diodes Incorporated |
Pièces connexes MMDT5451-7-F | |||||
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Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
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MMDT5451-TP | Interface | Micro Commercial Co | ||
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MMDT5451Q-7 | SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5401 | SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.6A -160V | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT521NW | ST SOT323 | ST | ||
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MMDT5401Q-7-F | SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5451 | Transistors - Bipolar (BJT) - Si | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551 100-300 K4N | CJ SOT-363 | CJ | ||
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MMDT5551-7 | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT521LW-AQ | Digital Transistor, SOT-323, 50V | Diotec Semiconductor | ||
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MMDT5401-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT5451-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT5551 | SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.6A 180V T | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551 K4N | LITTELFUSE SOT-363 | LITTELFUSE | ||
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MMDT5401-TP | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Micro Commercial Co | ||
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MMDT5401-7-F | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5451-7 | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5551-TP | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Micro Commercial Co | ||
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MMDT5551-7-F | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5401-7 | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated |
Message
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