| SI7792DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI7792DP-T1-GE3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| Quantité disponible | 2575 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SI7792DP-T1-GE3.pdf2.SI7792DP-T1-GE3.pdf |
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| Informations techniques de SI7792DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI7792DP-T1-GE3 | Catégorie | |
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay | La description | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 | Quantité disponible | 2575 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Séries | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4735 pF @ 15 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | Schottky Diode (Body) | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
| Numéro de produit de base | SI7792 | SI7792DP-T1-GE3 Détails PDF [English] | SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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Modèle de Produit
SI7792DP-T1-GE3
Introduction
Transistor MOSFET N-Channel avec diode Schottky
Marque et Fabricant
Electro-Films (EFI) / Vishay
Caractéristiques
MOSFET (oxyde métallique) N-Channel, diode Schottky intégrée (diode de corps), courant de drain continu élevé, sans plomb / conforme RoHS, technologie de montage en surface
Performance du Produit
Dissipation de puissance élevée, gestion thermique efficace, faible Rds On pour une meilleure efficacité, haute tension de drain à source, commutation rapide
Spécifications Techniques
Tension de drain à source de 30V, courant de drain continu de 40,6A à 60A, 2,1 mOhm Rds On à 20A, 10V, tension de commande de 4,5V à 10V, charge de grille de 135nC à 10V, capacité d'entrée de 4,735nF à 15V, tension de grille à source de ±20V
Dimensions, Forme et Conditionnement
Emballage PowerPAK SO-8, emballage en bande et bobine pour assemblage automatisé
Qualité et Fiabilité
Niveau de sensibilité à l'humidité 1, construction robuste pour la durabilité
Avantages du Produit
Faibles pertes de conduction, capacités de commutation haute vitesse, conversion de puissance efficace
Compétitivité du Produit
Technologie TrenchFET Gen III pour des performances supérieures, série SkyFET renommée pour sa qualité
Compatibilité
Compatible avec d'autres dispositifs montés en surface, diode de corps intégrée pour simplifier la conception des circuits
Certification et Conformité aux Normes
Sans plomb, conforme RoHS
Durée de Vie et Durabilité
Conçu pour une fiabilité à long terme
Champs d'Application Réels
Gestion de l'alimentation, convertisseurs DC/DC, entraînements de moteurs, informatique, télécommunications
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