| SI7802DN-T1-E3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI7802DN-T1-E3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| La description | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK |
| Quantité disponible | 2679 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SI7802DN-T1-E3.pdf2.SI7802DN-T1-E3.pdf |
| SI7802DN-T1-E3 Price |
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| Informations techniques de SI7802DN-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI7802DN-T1-E3 | Catégorie | |
| Fabricant | Vishay / Siliconix | La description | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK |
| Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8 | Quantité disponible | 2679 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 435mOhm @ 1.95A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) | Package / Boîte | PowerPAK® 1212-8 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 250 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.24A (Ta) | Numéro de produit de base | SI7802 |
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| Composants SI7802DN-T1-E3 | SI7802DN-T1-E3 Inventaire | SI7802DN-T1-E3 Digikey | |||
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