| SI7806ADN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modèle de produit | SI7806ADN-T1-GE3 |
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| La description | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 |
| Quantité disponible | 25739 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
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| Informations techniques de SI7806ADN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SI7806ADN-T1-GE3 | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay | La description | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 |
| Paquet / cas | Tape & Reel (TR) | Quantité disponible | 25739 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
| Séries | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | PowerPAK® 1212-8 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 27 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) | SI7806ADN-T1-GE3 Détails PDF [English] | SI7806ADN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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