SI7806ADN-T1-GE3
Modèle de produit SI7806ADN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
La description MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
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Référence fabricant SI7806ADN-T1-GE3 Catégorie  
Fabricant Vishay / Siliconix La description MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8 Quantité disponible 25975 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8
Séries TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta) Package / Boîte PowerPAK® 1212-8
Emballer Tape & Reel (TR) Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) Numéro de produit de base SI7806
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