Modèle de Produit

SSM3J109TU(TE85L)

Introduction

Un circuit intégré spécialisé conçu pour des applications spécifiques, développé par Toshiba Semiconductor and Storage.

Marque et Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Caractéristiques

Faible résistance à l'état passant, Commutation haute vitesse, Faible charge de commande, Faible besoin en courant de commande

Performance du Produit

Performance efficace grâce à une faible résistance à l'état passant et aux capacités de commutation haute vitesse. Fonctionnement stable dans une large plage de températures.

Spécifications Techniques

MOSFET de puissance, canal N, mono. Tension de drain à source (Vdss) : 100V, Courant de drain continu (Id) : 1A, Dissipation de puissance : 1W, Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 500mA, 10V.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier de montage en surface compact. Boîtier : SOT-416FL. Dimensions : 2mm x 1.25mm x 0.98mm.

Qualité et Fiabilité

Conçu pour la longévité et une performance stable sous diverses conditions électriques et environnementales.

Avantages du Produit

Optimisé pour les applications à basse tension et à faible courant. Améliore l'efficacité globale des circuits électroniques.

Compétitivité du Produit

Avantage concurrentiel dans les applications nécessitant de faibles pertes d'énergie et une grande efficacité.

Compatibilité

Compatible avec les techniques d'assemblage de circuits standard existantes.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux principales normes électroniques et environnementales internationales.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de vie opérationnelle avec une dégradation minimale au fil du temps. Composants et emballages écologiques.

Champs d'Application Réels

Applications de gestion de l'alimentation, Convertisseurs DC/DC, Interrupteurs de charge, Systèmes de gestion de batteries.

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