| SSM3J112TU,LF | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J112TU,LF |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM |
| Quantité disponible | 2678 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | SSM3J112TU,LF.pdf |
| SSM3J112TU,LF Price |
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| Informations techniques de SSM3J112TU,LF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J112TU,LF | Catégorie | |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM |
| Paquet / cas | UFM | Quantité disponible | 2678 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | UFM |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta) | Package / Boîte | 3-SMD, Flat Leads |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 86 pF @ 15 V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.1A (Ta) | Numéro de produit de base | SSM3J112 |
| Télécharger | SSM3J112TU,LF PDF - EN.pdf | ||
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