| SSM3J09FU,LF | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J09FU,LF |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CH 30V 200MA USM |
| Quantité disponible | 9771 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| SSM3J09FU,LF Price |
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| Informations techniques de SSM3J09FU,LF | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J09FU,LF | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CH 30V 200MA USM |
| Paquet / cas | USM | Quantité disponible | 9771 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | USM |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 100mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) | Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 5 V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 3.3V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) | Numéro de produit de base | SSM3J09 |
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| Action SSM3J09FU,LF | Prix SSM3J09FU,LF | SSM3J09FU,LF Electronique | |||
| Composants SSM3J09FU,LF | SSM3J09FU,LF Inventaire | SSM3J09FU,LF Digikey | |||
| Fournisseur SSM3J09FU,LF | Commandez SSM3J09FU,LF en ligne | Demande SSM3J09FU,LF | |||
| SSM3J09FU,LF Image | SSM3J09FU,LF Photo | SSM3J09FU,LF PDF | |||
| SSM3J09FU,LF Fiche technique | Télécharger la fiche technique SSM3J09FU,LF | Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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