| SSM3J108TU(TE85L) | |
|---|---|
| Modèle de produit | SSM3J108TU(TE85L) |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Quantité disponible | 2568 pcs new original in stock. Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.SSM3J108TU(TE85L).pdf2.SSM3J108TU(TE85L).pdf |
| SSM3J108TU(TE85L) Price |
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| Informations techniques de SSM3J108TU(TE85L) | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | SSM3J108TU(TE85L) | Catégorie | |
| Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | La description | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Paquet / cas | UFM | Quantité disponible | 2568 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | UFM |
| Séries | U-MOSIII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 800mA, 4V |
| Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | Package / Boîte | 3-SMD, Flat Leads |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4V | Tension drain-source (Vdss) | 20 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Ta) | Numéro de produit de base | SSM3J108 |
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