| TP65H015G5WS | |
|---|---|
| Modèle de produit | TP65H015G5WS |
| Fabricant | Transphorm |
| La description | 650 V 95 A GAN FET |
| Quantité disponible | 263 pcs in stock |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | TP65H015G5WS.pdf |
| TP65H015G5WS Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de TP65H015G5WS | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | TP65H015G5WS | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Transphorm | La description | 650 V 95 A GAN FET |
| Paquet / cas | TO-247-3 | Quantité disponible | 263 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 2mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Package composant fournisseur | TO-247-3 |
| Séries | SuperGaN™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 266W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5218 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 93A (Tc) |
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ TP65H015G5WS Online.
| Action TP65H015G5WS | Prix TP65H015G5WS | TP65H015G5WS Electronique | |||
| Composants TP65H015G5WS | TP65H015G5WS Inventaire | TP65H015G5WS Digikey | |||
| Fournisseur TP65H015G5WS | Commandez TP65H015G5WS en ligne | Demande TP65H015G5WS | |||
| TP65H015G5WS Image | TP65H015G5WS Photo | TP65H015G5WS PDF | |||
| TP65H015G5WS Fiche technique | Télécharger la fiche technique TP65H015G5WS | Fabricant Transphorm | |||
| Pièces connexes TP65H015G5WS | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
 |
TP65H035WSQA | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H070G4LSGB-TR | GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 | Transphorm | ||
 |
TP6312SPL | TOPRO QFN | TOPRO | ||
|
TP65H035G4WSQA | 650 V 46.5 GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H050G4BS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP6420 | SUPERTEXINC TO-92 | SUPERTEXINC | ||
 |
TP65-5-RCI | HEAVY DUTY SWIVEL PLATE CASTER 5 | Global Industrial | ||
|
TP65H050G4WS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP6508IQG | TOPRO QFP | TOPRO | ||
|
TP6508IQ | TOPRO | |||
 |
TP65H050WS | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H070G4PS | GANFET N-CH 650V 29A TO220 | Transphorm | ||
|
TP6508QG | TOPRO QFP-208 | TOPRO | ||
 |
TP6537FG | TOSHIBA SOP | TOSHIBA | ||
|
TP6317BFA | TOPRO QFP-M44P | TOPRO | ||
|
TP6312T | TOPRO QFP | TOPRO | ||
|
TP6315Q | TOPRO QFP-44 | TOPRO | ||
|
TP65H035WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H050WSQA | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 | Transphorm | ||
Message
Plus
Le Polarfire® SOC FPGA de Microchip a reçu la certification AEC-Q100, confirmant sa fiabilité dans des conditions automobiles sévères, y compris ...
Le PSOCTM 4000T est le premier produit d'Infineon à présenter la technologie CapSense ™ de cinquième génération de la société et les fonctionn...
Un responsable du fournisseur de pièces automobiles a révélé que le développement de véhicules électriques sur le marché nord-américain a cal...
Infineon et Eatron élargissent leur collaboration Système de gestion des batteries AI (BMS) dans l'électronique industrielle et grand public.Sur la...
Sur le semi-conducteur a récemment annoncé le lancement de son premier capteur de temps de vol indirect en temps réel (ITOF), la série d'identific...
Nouveaux produits
Plus
Capteur photoélectrique série PD30 Les capteurs photoélectriques miniatures de Carlo Gavazzi sont...
Kit d'évaluation XC112 / XR112 pour le radar cohérent à impulsions A111Kit d'évaluation XC112 et XR112 d'Acconeer avec câbles plats flexibles et ...
Servomoteurs et moteurs MINAS série A6 La famille MINAS A6 de Panasonic assure un fonctionnement st...
Carte de pilote à LED UV Carte pilote UV RayVio pour les séries XE et XP1 d'émetteurs UV-C La c...
Test SDRAM DDR industriel et étendu Les dispositifs SDRAM DDR d'Insignis garantissent un fonctionne...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AJOUTER: 2703-27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Avis de droit d'auteur © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Tous les droits sont réservés.