| TP65H150BG4JSG-TR | |
|---|---|
| Modèle de produit | TP65H150BG4JSG-TR |
| Fabricant | Transphorm |
| La description | GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 |
| Quantité disponible | Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| TP65H150BG4JSG-TR Price |
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| Informations techniques de TP65H150BG4JSG-TR | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | TP65H150BG4JSG-TR | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Transphorm | La description | GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 |
| Paquet / cas | 8-PQFN (5x6) | Quantité disponible | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 500µA | Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Package composant fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
| Séries | SuperGaN® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 6V |
| Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
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