| TP65H050WSQA | |
|---|---|
| Modèle de produit | TP65H050WSQA |
| Fabricant | Transphorm |
| La description | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 |
| Quantité disponible | 73 pcs in stock |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | |
| TP65H050WSQA Price |
Demande de prix et délai de livraison en ligne or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informations techniques de TP65H050WSQA | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | TP65H050WSQA | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Transphorm | La description | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 | Quantité disponible | 73 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | Package composant fournisseur | TO-247-3 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 36A (Tc) |
| Numéro de produit de base | TP65H050 |
Envoyez-nous un email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ TP65H050WSQA Online.
| Action TP65H050WSQA | Prix TP65H050WSQA | TP65H050WSQA Electronique | |||
| Composants TP65H050WSQA | TP65H050WSQA Inventaire | TP65H050WSQA Digikey | |||
| Fournisseur TP65H050WSQA | Commandez TP65H050WSQA en ligne | Demande TP65H050WSQA | |||
| TP65H050WSQA Image | TP65H050WSQA Photo | TP65H050WSQA PDF | |||
| TP65H050WSQA Fiche technique | Télécharger la fiche technique TP65H050WSQA | Fabricant Transphorm | |||
| Pièces connexes TP65H050WSQA | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Image | Modèle de produit | La description | Fabricant | Obtenir un devis | |
 |
TP65H035WSQA | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H070LDG-TR | 650 V 25 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H150G4LSG-TR | 650 V 13 A GAN FET | Transphorm | ||
 |
TP65H035WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | Transphorm | ||
|
TP65H150G4LSG | GAN FET N-CH 650V PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H015G5WS | 650 V 95 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H050G4BS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
 |
TP6508QG | TOPRO QFP-208 | TOPRO | ||
|
TP65H050G4WS | 650 V 34 A GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H070G4PS | GANFET N-CH 650V 29A TO220 | Transphorm | ||
|
TP65H070G4LSGB-TR | GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 | Transphorm | ||
|
TP65H035G4WSQA | 650 V 46.5 GAN FET | Transphorm | ||
|
TP65H070LDG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070LSG | GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN | Transphorm | ||
|
TP65H070LSG-TR | GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 | Transphorm | ||
|
TP65H150G4PS | GAN FET N-CH 650V TO-220 | Transphorm | ||
 |
TP6537FG | TOSHIBA SOP | TOSHIBA | ||
|
TP65H150BG4JSG-TR | GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6 | Transphorm | ||
|
TP65H050WS | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | Transphorm | ||
Message
Plus
Le Polarfire® SOC FPGA de Microchip a reçu la certification AEC-Q100, confirmant sa fiabilité dans des conditions automobiles sévères, y compris ...
Le PSOCTM 4000T est le premier produit d'Infineon à présenter la technologie CapSense ™ de cinquième génération de la société et les fonctionn...
Un responsable du fournisseur de pièces automobiles a révélé que le développement de véhicules électriques sur le marché nord-américain a cal...
Infineon et Eatron élargissent leur collaboration Système de gestion des batteries AI (BMS) dans l'électronique industrielle et grand public.Sur la...
Sur le semi-conducteur a récemment annoncé le lancement de son premier capteur de temps de vol indirect en temps réel (ITOF), la série d'identific...
Nouveaux produits
Plus
Capteur photoélectrique série PD30 Les capteurs photoélectriques miniatures de Carlo Gavazzi sont...
Kit d'évaluation XC112 / XR112 pour le radar cohérent à impulsions A111Kit d'évaluation XC112 et XR112 d'Acconeer avec câbles plats flexibles et ...
Servomoteurs et moteurs MINAS série A6 La famille MINAS A6 de Panasonic assure un fonctionnement st...
Carte de pilote à LED UV Carte pilote UV RayVio pour les séries XE et XP1 d'émetteurs UV-C La c...
Test SDRAM DDR industriel et étendu Les dispositifs SDRAM DDR d'Insignis garantissent un fonctionne...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AJOUTER: 2703-27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Avis de droit d'auteur © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Tous les droits sont réservés.