| TP65H035G4WS | |
|---|---|
| Modèle de produit | TP65H035G4WS |
| Fabricant | Transphorm |
| La description | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 |
| Quantité disponible | 115 pcs in stock |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | TP65H035G4WS.pdf |
| TP65H035G4WS Price |
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| Informations techniques de TP65H035G4WS | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | TP65H035G4WS | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Transphorm | La description | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 | Quantité disponible | 115 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | Package composant fournisseur | TO-247-3 |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 156W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 0 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 46.5A (Tc) |
| Numéro de produit de base | TP65H035 |
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