TP65H050G4WS
Modèle de produit TP65H050G4WS
Fabricant Transphorm
La description 650 V 34 A GAN FET
Quantité disponible 369 pcs in stock
Modèle ECAD
Feuilles de données
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Informations techniques de TP65H050G4WS
Référence fabricant TP65H050G4WS Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Transphorm La description 650 V 34 A GAN FET
Paquet / cas TO-247-3 Quantité disponible 369 pcs
Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA Vgs (Max) ±20V
La technologie GaNFET (Gallium Nitride) Package composant fournisseur TO-247-3
Séries SuperGaN® Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (max) 119W (Tc) Package / Boîte TO-247-3
Emballer Tube Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650 V Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)
Numéro de produit de base TP65H050  
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