TP65H050G4WS | |
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Modèle de produit | TP65H050G4WS |
Fabricant | Transphorm |
La description | 650 V 34 A GAN FET |
Quantité disponible | 369 pcs in stock |
Modèle ECAD | |
Feuilles de données | |
TP65H050G4WS Price |
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Informations techniques de TP65H050G4WS | |||
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Référence fabricant | TP65H050G4WS | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Fabricant | Transphorm | La description | 650 V 34 A GAN FET |
Paquet / cas | TO-247-3 | Quantité disponible | 369 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Package composant fournisseur | TO-247-3 |
Séries | SuperGaN® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 119W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 34A (Tc) |
Numéro de produit de base | TP65H050 |
Action TP65H050G4WS | Prix TP65H050G4WS | TP65H050G4WS Electronique | |||
Composants TP65H050G4WS | TP65H050G4WS Inventaire | TP65H050G4WS Digikey | |||
Fournisseur TP65H050G4WS | Commandez TP65H050G4WS en ligne | Demande TP65H050G4WS | |||
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