| TP65H150LSG | |
|---|---|
| Modèle de produit | TP65H150LSG |
| Fabricant | Transphorm |
| La description | GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN |
| Quantité disponible | Demande de stock et de devis |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | 1.TP65H150LSG.pdf2.TP65H150LSG.pdf3.TP65H150LSG.pdf |
| TP65H150LSG Price |
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| Informations techniques de TP65H150LSG | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | TP65H150LSG | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Transphorm | La description | GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN |
| Paquet / cas | 3-PQFN (8x8) | Quantité disponible | Available Stock |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Package composant fournisseur | 3-PQFN (8x8) |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 69W (Tc) | Package / Boîte | 3-PowerDFN |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 576 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
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