| TP65H035WSQA | |
|---|---|
| Modèle de produit | TP65H035WSQA |
| Fabricant | Transphorm |
| La description | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 |
| Quantité disponible | 367 pcs in stock |
| Modèle ECAD | |
| Feuilles de données | TP65H035WSQA.pdf |
| TP65H035WSQA Price |
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| Informations techniques de TP65H035WSQA | |||
|---|---|---|---|
| Référence fabricant | TP65H035WSQA | Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Fabricant | Transphorm | La description | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 | Quantité disponible | 367 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | Package composant fournisseur | TO-247-3 |
| Séries | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 187W (Tc) | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Emballer | Tube | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | type de FET | N-Channel |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 47.2A (Tc) | Numéro de produit de base | TP65H035 |
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